Transistor SPP02N80C3 02N80C3 haute tension 800V à structure MOS

L'Excellence Technique du Transistor de Tranchée SPP02N80C3

Découvrez un composant électronique d'une régularité exemplaire, manufacturé selon des critères stricts pour répondre aux besoins des architectures électriques modernes. Le transistor à effet de champ MOS SPP02N80C3 se distingue par sa structure interne hautement purifiée, garantissant une isolation thermique et électrique supérieure sous une tension de 800V.

Un Design Pensé pour la Durabilité

Chaque broche de la prise droite TO-220N est traitée pour résister à l'oxydation, facilitant ainsi des soudures nettes et durables dans le temps. L'intégration de la technologie de tranchée limite l'échauffement interne, prolongeant de fait la durée de vie des condensateurs environnants.

Détails des Paramètres Constructeurs

• Tolérance Tension : Crête maximale de 800 V pour applications industrielles.
• Format de Prise : Traversant droit pour une stabilité mécanique accrue.
• Conditionnement : Lot protecteur de 10 unités pour préserver l'alignement des pattes.

Intégrer ce transistor dans vos montages, c'est choisir la sérénité d'un fonctionnement stable et la réduction drastique des risques de court-circuit.